IRF2903ZS

IRF2903ZS. C(in): 6320pF. Costo): 1980pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 1020A. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. Rds sulla resistenza attiva: 0.019 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 02:25.