IRF2805

IRF2805. C(in): 5110pF. Costo): 1190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione rapida, applicazioni automobilistiche. Id(imp): 700A. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Rds sulla resistenza attiva: 3.9M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 68 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 02:25.