IGW60T120

IGW60T120. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G60T120. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 60A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 50 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 480 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 375W. Corrente massima del collettore (A): 150A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Custodia (standard JEDEC): NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.