Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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HER304

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HER304. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 125A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 300V. Do: 80pF. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Peso: 1.1g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Prodotto originale del produttore Taiwan Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 18:25.

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HER308

HER308

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HER308
Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 125A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Do: 80pF. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Peso: 1.1g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V
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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 125A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Do: 80pF. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Peso: 1.1g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V
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UF5404

UF5404

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatur...
UF5404
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): silicio. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 3A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 400V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 50 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 400V
UF5404
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): silicio. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 3A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 400V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 50 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 400V
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