Fototransistor e fotodiodi (ricezione)

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fotodiodo PIN. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 5mm (T-1 3/4). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 900nm. Tensione di chiusura Ur[V], max.: 20V. Crea corrente, corrente di buio Ir [μA]: 5nA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±20°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 5 ns. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 5 ns. Diametro esterno [mm]: 5mm. Lunghezza esterna [mm]: 9mm. Larghezza esterna [mm]: 5.1mm. Spessore esterno [mm]: 5.1mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Fotodiodo PIN. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 5mm (T-1 3/4). lapos. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 850nm. Tensione di chiusura Ur[V], max.: 20V. Crea corrente, corrente di buio Ir [μA]: 10nA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±75°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 5 ns. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 5 ns. Diametro esterno [mm]: 5mm. Lunghezza esterna [mm]: 5mm. Larghezza esterna [mm]: 5.9mm. Spessore esterno [mm]: 5.9mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fotodiodo PIN. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 900nm. Tensione di chiusura Ur[V], max.: 32V. Crea corrente, corrente di buio Ir [μA]: 30nA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±60°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 20 ns. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 20 ns. Diametro esterno [mm]: 5.1mm. Lunghezza esterna [mm]: 6.9mm. Larghezza esterna [mm]: 5.1mm. Spessore esterno [mm]: 5.1mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

Nota: 860nm 24°

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fototransistor. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 3mm (T-1). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 860nm. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15mA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±12°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 8us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 8us. Diametro esterno [mm]: 3mm. Lunghezza esterna [mm]: 5.2mm. Larghezza esterna [mm]: 4mm. Spessore esterno [mm]: 4mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

Famiglia di componenti: fototransistor a infrarossi. Lunghezza d onda: 730-1120nm. Angolo di rilevamento: 24°

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fototransistor. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 3mm (T-1). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 900nm. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15mA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±12°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 7us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 7us. Diametro esterno [mm]: 3mm. Lunghezza esterna [mm]: 5.2mm. Larghezza esterna [mm]: 4mm. Spessore esterno [mm]: 4mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

Corrente del collettore: 15mA. Ic(impulso): 75mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: PLCC. Custodia (secondo scheda tecnica): PLCC-2. Temperatura di funzionamento: -40...+100°C. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Numero di terminali: 2

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fototransistor. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 3mm (T-1). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 570nm. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 6V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±30°. Diametro esterno [mm]: 3mm. Lunghezza esterna [mm]: 4.4mm. Larghezza esterna [mm]: 3.2mm. Spessore esterno [mm]: 3.2mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fototransistor. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: 3.5x2.8x1.75mm. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 940nm. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 70V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±60°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 6us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 6us. Lunghezza esterna [mm]: 3.5mm. Larghezza esterna [mm]: 2.8mm. Spessore esterno [mm]: 1.75mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C