Fototransistor e fotodiodi (ricezione)

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fototransistor. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Lunghezza d onda dominante [nm]: 850nm. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±55°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 9us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 9us. Diametro esterno [mm]: 4.3mm. Lunghezza esterna [mm]: 5.5mm. Larghezza esterna [mm]: 5.5mm. Spessore esterno [mm]: 3.6mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +80°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fotodiodo PIN. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 4.65x4.3mm. Custodia (standard JEDEC): 5.08mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 925nm. Tensione di chiusura Ur[V], max.: 60V. Crea corrente, corrente di buio Ir [μA]: 30nA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±65°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 100 ns. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 100 ns. Lunghezza esterna [mm]: 4.65mm. Larghezza esterna [mm]: 4.3mm. Spessore esterno [mm]: 2mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fotodiodo PIN. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 5mm (T-1 3/4). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 940nm. Tensione di chiusura Ur[V], max.: 60V. Crea corrente, corrente di buio Ir [μA]: 5nA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±20°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 2.5 ns. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 2.5 ns. Diametro esterno [mm]: 5mm. Lunghezza esterna [mm]: 8.6mm. Larghezza esterna [mm]: 5.75mm. Spessore esterno [mm]: 5.75mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

Lunghezza d onda (dominante): 850nm. RoHS: sì. Colore: infrarossi. Nota: 850nm 15°. Nota: LED 5mm. Nota: fototransistor a infrarossi. Nota: 850nm, 1nA, 70V, 50mA, 150mW

RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): 930nm 15°. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Famiglia di componenti: Fototransistor. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 5mm (T-1 3/4). Lunghezza d onda dominante [nm]: 930nm. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 70V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±15°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 6us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 5us. Diametro esterno [mm]: 5mm. Lunghezza esterna [mm]: 8.6mm. Larghezza esterna [mm]: 5.75mm. Spessore esterno [mm]: 5.75mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fototransistor. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 1.8mm (T-3/4). Custodia (standard JEDEC): 50mA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Lunghezza d onda dominante [nm]: 825nm. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 32V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±12°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 4.8us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 5us. Diametro esterno [mm]: 1.8mm. Lunghezza esterna [mm]: 3.3mm. Numero di terminali: 2. Larghezza esterna [mm]: 2.4mm. Spessore esterno [mm]: 3.4mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fotodiodo PN. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-5. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 565nm. Tensione di chiusura Ur[V], max.: 10V. Crea corrente, corrente di buio Ir [μA]: 30nA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±50°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 3.1us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 3.0us. Diametro esterno [mm]: 8.13mm. Lunghezza esterna [mm]: 9.1mm. Larghezza esterna [mm]: 9.1mm. Spessore esterno [mm]: 3.1mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fotodiodo PIN. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 4.65x4.3mm. Custodia (standard JEDEC): sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 900nm. Tensione di chiusura Ur[V], max.: 60V. Crea corrente, corrente di buio Ir [μA]: 30nA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±65°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 100 ns. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 100 ns. Lunghezza esterna [mm]: 4.65mm. Larghezza esterna [mm]: 4.3mm. Spessore esterno [mm]: 2mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fotodiodo PIN. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 4.65x4.3mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 900nm. Tensione di chiusura Ur[V], max.: 60V. Crea corrente, corrente di buio Ir [μA]: 30nA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±65°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 100 ns. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 100 ns. Lunghezza esterna [mm]: 4.65mm. Larghezza esterna [mm]: 4.3mm. Spessore esterno [mm]: 2mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fotodiodo PIN. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): 215mW. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 950nm. Tensione di chiusura Ur[V], max.: 60V. Crea corrente, corrente di buio Ir [μA]: 30nA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±65°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 100 ns. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 100 ns. Lunghezza esterna [mm]: 5mm. Larghezza esterna [mm]: 4mm. Spessore esterno [mm]: 6.8mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fototransistor. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Lunghezza d onda dominante [nm]: 850nm. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 70V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±10°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 6us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 5us. Diametro esterno [mm]: 4.69mm. Lunghezza esterna [mm]: 6.15mm. Larghezza esterna [mm]: 5.5mm. Spessore esterno [mm]: 5.5mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fototransistor. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 5mm (T-1 3/4). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 850nm. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 70V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±20°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 2us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 2.3us. Diametro esterno [mm]: 5mm. Lunghezza esterna [mm]: 8.6mm. Larghezza esterna [mm]: 5.75mm. Spessore esterno [mm]: 5.75mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

Angolo di visione: 20°. Lunghezza d onda (dominante): 850nm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. VECO: 5V. Numero di terminali: 2. Nota: infrarossi 850 nm, 200, 180 MHz. Nota: VCEO 70V, VECO 5V, IC 50mA. Nota: lato ricevitore

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fototransistor. Alloggiamento: saldatura PCB. Custodia (standard JEDEC): fototransistor. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 850nm. Alloggiamento: 2.4x2.4mm. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 32V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±18°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 6us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 6us. Lunghezza esterna [mm]: 2.4mm. Larghezza esterna [mm]: 2.4mm. Spessore esterno [mm]: 3.6mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +80°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fototransistor. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Lunghezza d onda dominante [nm]: 830nm. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±8°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 9us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 9us. Diametro esterno [mm]: 4.8mm. Lunghezza esterna [mm]: 5.4mm. Larghezza esterna [mm]: 5.6mm. Spessore esterno [mm]: 5.6mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C

Famiglia di componenti: fototransistor a infrarossi. Lunghezza d onda: 900nm. Diametro: 3mm. Tipo di lente: trasparente. Angolo di rilevamento: 30°

Angolo di visione: 30°. Materiale: blu trasparente. Tipo di canale: N. Varie: fototransistor a infrarossi (ricevitore). Funzione: fototransistor NPN. Lunghezza d onda (dominante): 940nm. Corrente del collettore: 3mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Colore: infrarossi. Tf (tipo): 15us. Alloggiamento: LED 5mm. Custodia (secondo scheda tecnica): cilindrico convesso T-1 3/4. Tr: 15 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. VECO: 5V. Numero di terminali: 2. Spec info: lente blu trasparente

Lunghezza d onda (dominante): 940nm. Corrente del collettore: 3mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Colore: infrarossi. Tf (tipo): 15us. Alloggiamento: LED 5mm. Custodia (secondo scheda tecnica): cilindrico convesso T-1 3/4. Tr: 15us. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. VECO: 5V. Famiglia di componenti: fototransistor a infrarossi. Lunghezza d onda: 940nm. Diametro: 5mm. Tipo di lente: trasparente. Angolo di rilevamento: 30°. Numero di terminali: 2. Spec info: lente trasparente

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Colore: infrarossi. Tf (tipo): 15us. Alloggiamento: LED 3mm. Tr: 15us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. VECO: 5V. Famiglia di componenti: fototransistor a infrarossi. Lunghezza d onda: 940nm. Diametro: 3mm. Tipo di lente: blu trasparente. Angolo di rilevamento: 30°

Famiglia di componenti: fototransistor a infrarossi. Lunghezza d onda: 940nm. Diametro: 3mm. Tipo di lente: trasparente. Angolo di rilevamento: 30°

Angolo di visione: 24°. Funzione: Fototransistor. Lunghezza d onda (dominante): 900nm. Corrente del collettore: 15mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Numero di terminali: 2

Angolo di visione: 120°. Lunghezza d onda (dominante): 950nm. Capacità: 72pF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 20 ns. Alloggiamento: TO-92. Temperatura di funzionamento: -40...+100°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. VRRM: 32V. Numero di terminali: 2. Nota: diodo a infrarossi. Spec info: Breve tempo di commutazione

Diametro: 5mm. Angolo di visione: 20°. Materiale: trasparente. Proprietà: cilindrico convesso. Funzione: Silicon PIN Photodiode. Lunghezza d onda (dominante): 850nm. Capacità: 11pF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW°. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: LED 5mm. Tr: 0.005us. Temperatura di funzionamento: -40...+100°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. VRRM: 20V. Numero di terminali: 2. Spec info: Breve tempo di commutazione

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fototransistor. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: rettangolare, 5,08x4,44 mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 880nm. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5mA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±25°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 8us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 8us. Lunghezza esterna [mm]: 5.08mm. Larghezza esterna [mm]: 4.44mm. Spessore esterno [mm]: 2.54mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Fotodiodo PIN. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 5mm (T-1 3/4). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Lunghezza d onda dominante [nm]: 850nm. Tensione di chiusura Ur[V], max.: 20V. Crea corrente, corrente di buio Ir [μA]: 5nA. Metà angolo di rilevamento δ 1/2 [°]: ±20°. Tempo di accensione tr [μsec.]: 5 ns. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 5 ns. Diametro esterno [mm]: 5mm. Lunghezza esterna [mm]: 9mm. Larghezza esterna [mm]: 5.1mm. Spessore esterno [mm]: 5.1mm. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C