Diodi Zener

Corrente diretta (AV): 130mA. Nota: Thread m4. Tolleranza: 5%. VRRM: 8.2V

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 10V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Tensione Zener: 10V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 5V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. VRRM: 10V

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 100V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 100V

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 110V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 110V

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 12V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 120V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 13V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 130V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 130V

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 15V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Tensione Zener: 15V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 150V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Marcatura sulla cassa: Z150. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 150V

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 160V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 18V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Tensione Zener: 18V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 180V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Tensione Zener: 180V. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 90V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 120 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Marcatura sulla cassa: Z200. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 22V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 24V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Tensione Zener: 24V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 12V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 27V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Tensione Zener: 27V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 14V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. VRRM: 27V

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 30 v. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 33V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 33V

Tensione Zener: 36V. Alloggiamento: DO-15. Tipo di diodo: diodo Zener. Potenza: 2W

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 39V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 20V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 10mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 47V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 47V

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 5.6V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 56V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 28V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C