Diodi Zener

Corrente diretta (AV): 20mA. Tolleranza: 5%. VRRM: 51V

Corrente diretta (AV): 130mA. Tolleranza: 5%. VRRM: 8.2V

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 10V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 5V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. VRRM: 10V. Tensione Zener: 10V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 100V. Tensione Zener: 100V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 110V. Tensione Zener: 110V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione Zener: 12V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione Zener: 120V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 13V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 130V. Tensione Zener: 130V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 15V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Tensione Zener: 15V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Marcatura sulla cassa: Z150. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 150V. Tensione Zener: 150V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione Zener: 160V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 18V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Tensione Zener: 18V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 180V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 90V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 120 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Tensione Zener: 180V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 20V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Marcatura sulla cassa: Z200. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione Zener: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione Zener: 22V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 24V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 12V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Tensione Zener: 24V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 27V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 14V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. VRRM: 27V. Tensione Zener: 27V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione Zener: 30 v. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 33V. Tensione Zener: 33V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Tipo di diodo: diodo Zener. Tensione Zener: 36V. Potenza: 2W. Alloggiamento: DO-15

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 39V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 20V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 10mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 47V. Tensione Zener: 47V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione Zener: 5.6V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation