Diodi Zener

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 200V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Marcatura sulla cassa: Z200. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 22V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 24V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Tensione Zener: 24V. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 12V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 27V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Tensione Zener: 27V. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 14V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. VRRM: 27V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 30 v. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 33V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 33V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 39V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 20V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 10mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 47V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 47V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 5.6V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 56V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 28V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 6.2V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Tensione Zener: 6.2V. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1.5V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 6.2V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 6.2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 62V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 62V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 68V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 34V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 7.5V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 7.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 8.2V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Tensione Zener: 8.2V. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 3.5V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. VRRM: 8.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 82V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 41V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 10mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: Diodo Zener, potenza 2W (25°C), 5%, serie ZY

Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tensione Zener: 9.1V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 9.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation