Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

Diodi Zener

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SMZ6-8

SMZ6-8

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener da 2W, Componente a montaggio superficiale (SMD). All...
SMZ6-8
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener da 2W, Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: MELF. Custodia (standard JEDEC): DO-213AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 6.8V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 2V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
SMZ6-8
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener da 2W, Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: MELF. Custodia (standard JEDEC): DO-213AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 6.8V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 2V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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SMZ9-1

SMZ9-1

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener da 2W, Componente a montaggio superficiale (SMD). All...
SMZ9-1
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener da 2W, Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: MELF. Custodia (standard JEDEC): DO-213AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 9.1V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 3.5V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
SMZ9-1
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener da 2W, Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: MELF. Custodia (standard JEDEC): DO-213AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 9.1V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 3.5V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficial...
TSZU52C12RGG
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 12V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 9V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
TSZU52C12RGG
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 12V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 9V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficial...
TSZU52C15RGG
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 15V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 11V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
TSZU52C15RGG
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 15V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 11V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficial...
TSZU52C2V7RGG
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 2.7V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 75uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 83 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
TSZU52C2V7RGG
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 2.7V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 75uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 83 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficial...
TSZU52C3V3RGG
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 3.3V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 25uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
TSZU52C3V3RGG
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 3.3V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 25uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficial...
TSZU52C3V9RGG
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 3.9V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
TSZU52C3V9RGG
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 3.9V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
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TSZU52C4V7RGG

TSZU52C4V7RGG

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficial...
TSZU52C4V7RGG
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 4.7V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 2V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 78 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
TSZU52C4V7RGG
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 4.7V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 2V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 78 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
Set da 1
0.61€ IVA incl.
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TSZU52C5V1RGG

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficial...
TSZU52C5V1RGG
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 5.1V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 0.8V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
TSZU52C5V1RGG
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 5.1V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 0.8V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
Set da 1
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TSZU52C5V6RGG

TSZU52C5V6RGG

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficial...
TSZU52C5V6RGG
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 5.6V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 40 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
TSZU52C5V6RGG
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 5.6V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 40 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
Set da 1
0.61€ IVA incl.
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TZMC10GS08

TZMC10GS08

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SI-Z SMD. RM (max)...
TZMC10GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SI-Z SMD. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. Tensione Zener: 10V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%
TZMC10GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SI-Z SMD. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. Tensione Zener: 10V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%
Set da 10
0.70€ IVA incl.
(0.57€ Iva esclusa)
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TZMC11GS08

TZMC11GS08

Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Passo: 3.4x1.6mm. VR...
TZMC11GS08
Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Passo: 3.4x1.6mm. VRRM: 11V. Nota: SOD-80. Nota: SI-Z SMD
TZMC11GS08
Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Passo: 3.4x1.6mm. VRRM: 11V. Nota: SOD-80. Nota: SI-Z SMD
Set da 10
0.71€ IVA incl.
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TZMC12GS08

TZMC12GS08

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Data di produzione: 2014/50....
TZMC12GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Data di produzione: 2014/50. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V. Tensione Zener: 12V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%
TZMC12GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Data di produzione: 2014/50. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V. Tensione Zener: 12V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%
Set da 10
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TZMC13-GS08

TZMC13-GS08

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficial...
TZMC13-GS08
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: miniMELF. Custodia (standard JEDEC): SOD80. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 13V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 10V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 26 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
TZMC13-GS08
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: miniMELF. Custodia (standard JEDEC): SOD80. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 13V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 10V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 26 Ohms @ 5mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
Set da 10
0.57€ IVA incl.
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TZMC13GS08

TZMC13GS08

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SI-Z SMD. Temperat...
TZMC13GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SI-Z SMD. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 13V. Tensione Zener: 13V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%
TZMC13GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SI-Z SMD. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 13V. Tensione Zener: 13V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%
Set da 10
0.70€ IVA incl.
(0.57€ Iva esclusa)
0.70€
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TZMC18GS08

TZMC18GS08

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMD Zener Diode, 0...
TZMC18GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. Tensione Zener: 18V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1
TZMC18GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. Tensione Zener: 18V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1
Set da 10
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TZMC22GS08

TZMC22GS08

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMD-Z. RM (max): 2...
TZMC22GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMD-Z. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 22V. Tensione Zener: 22V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%
TZMC22GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMD-Z. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 22V. Tensione Zener: 22V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%
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TZMC24GS08

TZMC24GS08

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Data ...
TZMC24GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Data di produzione: 2015/05. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. VRRM: 24V. Tensione Zener: 24V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1
TZMC24GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Data di produzione: 2015/05. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. VRRM: 24V. Tensione Zener: 24V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1
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TZMC2V4GS08

TZMC2V4GS08

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (m...
TZMC2V4GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione Zener: 2.4V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1
TZMC2V4GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione Zener: 2.4V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1
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TZMC2V7GS08

TZMC2V7GS08

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza,...
TZMC2V7GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. VRRM: 2.7V. Tensione Zener: 2.7V. Numero di terminali: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantità per scatola: 1
TZMC2V7GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. VRRM: 2.7V. Tensione Zener: 2.7V. Numero di terminali: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantità per scatola: 1
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TZMC30GS08

TZMC30GS08

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (m...
TZMC30GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione Zener: 30 v. Numero di terminali: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantità per scatola: 1
TZMC30GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione Zener: 30 v. Numero di terminali: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantità per scatola: 1
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TZMC36GS08

TZMC36GS08

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Fu...
TZMC36GS08
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Dimensioni: 3.4x1.6mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Tensione Zener: 36V. Nota: SI-Z SMD
TZMC36GS08
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Dimensioni: 3.4x1.6mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Tensione Zener: 36V. Nota: SI-Z SMD
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TZMC3V0GS08

TZMC3V0GS08

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (m...
TZMC3V0GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 40uA. RM (min): 4uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione Zener: 3V. Numero di terminali: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantità per scatola: 1
TZMC3V0GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 40uA. RM (min): 4uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione Zener: 3V. Numero di terminali: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantità per scatola: 1
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TZMC3V3GS08

TZMC3V3GS08

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (m...
TZMC3V3GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 40uA. RM (min): 2uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione Zener: 3.3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1
TZMC3V3GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 40uA. RM (min): 2uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione Zener: 3.3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1
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TZMC3V6GS08

TZMC3V6GS08

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Data ...
TZMC3V6GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Data di produzione: 2012/48. RM (max): 40uA. RM (min): 2uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione Zener: 3.6V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1
TZMC3V6GS08
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Data di produzione: 2012/48. RM (max): 40uA. RM (min): 2uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione Zener: 3.6V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1
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