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Diodi Zener

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SMZ9-1

SMZ9-1

Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: MELF. Custodia (standard JEDEC): DO-213AB. Tensio...
SMZ9-1
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: MELF. Custodia (standard JEDEC): DO-213AB. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 9.1V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener da 2W, Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 3.5V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
SMZ9-1
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: MELF. Custodia (standard JEDEC): DO-213AB. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 9.1V. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener da 2W, Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 3.5V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nomin...
TSZU52C12RGG
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 12V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 9V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
TSZU52C12RGG
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 12V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 9V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
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Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nomin...
TSZU52C15RGG
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 15V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 11V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
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Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 15V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 11V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
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Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nomin...
TSZU52C2V7RGG
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 2.7V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 75uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 83 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
TSZU52C2V7RGG
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 2.7V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 75uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 83 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
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Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nomin...
TSZU52C3V3RGG
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 3.3V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 25uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
TSZU52C3V3RGG
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 3.3V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 25uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
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Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nomin...
TSZU52C3V9RGG
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 3.9V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
TSZU52C3V9RGG
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 3.9V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 95 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
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Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nomin...
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Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 4.7V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 2V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 78 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
TSZU52C4V7RGG
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 4.7V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 2V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 78 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
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Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nomin...
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Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 5.1V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 0.8V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
TSZU52C5V1RGG
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 5.1V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 0.8V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
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Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nomin...
TSZU52C5V6RGG
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 5.6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 40 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
TSZU52C5V6RGG
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD 0603. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 5.6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 40 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C
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TZMC10GS08

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Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tec...
TZMC10GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 10V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SI-Z SMD. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V
TZMC10GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 10V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SI-Z SMD. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V
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Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SOD-80. Nota: ...
TZMC11GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SOD-80. Nota: SI-Z SMD. Passo: 3.4x1.6mm. VRRM: 11V
TZMC11GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SOD-80. Nota: SI-Z SMD. Passo: 3.4x1.6mm. VRRM: 11V
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TZMC12GS08

TZMC12GS08

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tec...
TZMC12GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 12V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Data di produzione: 2014/50. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V
TZMC12GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 12V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Data di produzione: 2014/50. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V
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TZMC13-GS08

TZMC13-GS08

Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: miniMELF. Custodia (standard JEDEC): SOD80. Tensi...
TZMC13-GS08
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: miniMELF. Custodia (standard JEDEC): SOD80. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 13V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 10V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 26 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
TZMC13-GS08
Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: miniMELF. Custodia (standard JEDEC): SOD80. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 13V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 10V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 26 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
Set da 10
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TZMC13GS08

TZMC13GS08

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tec...
TZMC13GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 13V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SI-Z SMD. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 13V
TZMC13GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 13V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SI-Z SMD. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 13V
Set da 10
0.70€ IVA incl.
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TZMC18GS08

TZMC18GS08

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tec...
TZMC18GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 18V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V
TZMC18GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 18V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V
Set da 10
0.70€ IVA incl.
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TZMC22GS08

TZMC22GS08

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tec...
TZMC22GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 22V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMD-Z. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 22V
TZMC22GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 22V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMD-Z. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 22V
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TZMC24GS08

TZMC24GS08

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tec...
TZMC24GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 24V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Data di produzione: 2015/05. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. VRRM: 24V
TZMC24GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 24V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Data di produzione: 2015/05. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. VRRM: 24V
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TZMC2V4GS08

TZMC2V4GS08

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tec...
TZMC2V4GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 2.4V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V
TZMC2V4GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 2.4V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V
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TZMC2V7GS08

TZMC2V7GS08

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tec...
TZMC2V7GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 2.7V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SI-Z SMD. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. VRRM: 2.7V
TZMC2V7GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 2.7V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SI-Z SMD. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. VRRM: 2.7V
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TZMC30GS08

TZMC30GS08

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tec...
TZMC30GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 30 v. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Nota: SI-Z SMD. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V
TZMC30GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 30 v. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Nota: SI-Z SMD. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V
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Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Tensione Zener: 36V. Quantit...
TZMC36GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Tensione Zener: 36V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Nota: SI-Z SMD. Dimensioni: 3.4x1.6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
TZMC36GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Tensione Zener: 36V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Nota: SI-Z SMD. Dimensioni: 3.4x1.6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
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TZMC3V0GS08

TZMC3V0GS08

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tec...
TZMC3V0GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 3V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Nota: SI-Z SMD. RM (max): 40uA. RM (min): 4uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V
TZMC3V0GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 3V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Nota: SI-Z SMD. RM (max): 40uA. RM (min): 4uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V
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TZMC3V3GS08

TZMC3V3GS08

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tec...
TZMC3V3GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 3.3V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 40uA. RM (min): 2uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V
TZMC3V3GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 3.3V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 40uA. RM (min): 2uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V
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Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tec...
TZMC3V6GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 3.6V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Data di produzione: 2012/48. RM (max): 40uA. RM (min): 2uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V
TZMC3V6GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 3.6V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Data di produzione: 2012/48. RM (max): 40uA. RM (min): 2uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V
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TZMC3V9GS08

TZMC3V9GS08

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tec...
TZMC3V9GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 3.9V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. VRRM: 3.9V
TZMC3V9GS08
Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 3.9V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. VRRM: 3.9V
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