Diodi Zener

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 12V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Data di produzione: 2014/50. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 12V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%

Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: miniMELF. Custodia (standard JEDEC): SOD80. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 13V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo zener da 500 mW (0,5 W), Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 10V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 26 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 13V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SI-Z SMD. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 13V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 18V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 22V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMD-Z. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 22V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 24V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Data di produzione: 2015/05. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. VRRM: 24V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 2.4V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 2.7V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. VRRM: 2.7V. Numero di terminali: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantità per scatola: 1

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 30 v. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Numero di terminali: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantità per scatola: 1

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Tensione Zener: 36V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Dimensioni: 3.4x1.6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Nota: SI-Z SMD

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 3V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 40uA. RM (min): 4uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Numero di terminali: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantità per scatola: 1

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 3.3V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 40uA. RM (min): 2uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 3.6V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Data di produzione: 2012/48. RM (max): 40uA. RM (min): 2uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 3.9V. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. VRRM: 3.9V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Materiale semiconduttore: silicio. Passo: 3.4x1.6mm. VRRM: 43V. Nota: SOD-80. Nota: SI-Z SMD

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 4.3V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. RM (max): 20uA. RM (min): 1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Numero di terminali: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantità per scatola: 1

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 4.7V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo Zener. Data di produzione: 2014/45. RM (max): 10uA. RM (min): 0.5uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Numero di terminali: 2. Nota: SI-Z SMD. Quantità per scatola: 1

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 5.6V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SI-Z SMD. RM (max): 2uA. RM (min): 0.1uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 6.8V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Data di produzione: 2014/44. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. VRRM: 6.8V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tensione Zener: 7.5V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tolleranza: 5%. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. VRRM: 7.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80. Tensione Zener: 9.1V. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). VRRM: 9.1V. Numero di terminali: 2. Nota: 3.4x1.6mm. Nota: SI-Z SMD. Quantità per scatola: 1

Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMA. Custodia (standard JEDEC): DO-214AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 4.7V. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W. RoHS: NINCS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMA. Custodia (standard JEDEC): DO-214AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 5.1V. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W. RoHS: sì. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 0.8V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMA. Custodia (standard JEDEC): DO-214AC. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 5.6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W. RoHS: NINCS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 10 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMC. Custodia (standard JEDEC): DO-214AB. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 150V. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Zener da 3W, Componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 75V. Impedenza Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 100 Ohms @ 5mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C