Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 100A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 5V. Tensione diretta Vf (min): 3.5V. VRRM: 36V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms