Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 102A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO218AB 13.5x10mm. Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. VRRM: 40V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM 700Ap/8.3ms 6600W, T=10/1000us