Struttura dielettrica: bidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 100A. Tensione di rottura: 27V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W, max 600W 1ms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 5V. Tensione diretta Vf (min): 3.5V. Numero di terminali: 2. Funzione: diodo transitorio, protezione da sovratensione. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.2ms). Varie: diodo transil