Struttura dielettrica: bidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Tensione di rottura: 200V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W, max 600W 1ms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Ubr [V] @ Ibr [A]: 210V @ 1mA. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 171V. Dissipazione massima (impulso) Pp [W] @ t[msec.]: 600W @ 1ms. Numero di terminali: 2. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Funzione: diodo transitorio, protezione da sovratensione