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DB35-16

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2 - 2 9.16€ 11.18€
3 - 4 8.67€ 10.58€
5 - 9 8.19€ 9.99€
10 - 19 8.00€ 9.76€
20 - 29 7.81€ 9.53€
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DB35-16. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Funzione: ponte raddrizzatore trifase. Corrente diretta (AV): 35A. IFSM: 450A. Equivalenti: VISHAY--VS-36MT160. Numero di terminali: 5. Dimensioni: 28.5x28.5mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione diretta Vf (min): 1.05V. VRRM: 1600V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 22:25.

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DB35-12

DB35-12

RoHS: sì. Alloggiamento: 35A. Alloggiamento: 28.5x28.5x10mm. Custodia (standard JEDEC): 5mA. Numero...
DB35-12
RoHS: sì. Alloggiamento: 35A. Alloggiamento: 28.5x28.5x10mm. Custodia (standard JEDEC): 5mA. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 35A. Tensione di soglia Uf [V]: 1.05V. Tensione di picco Urrm [V]: 1.2 kV. Corrente di picco Ifsm [A]: 450A. Tensione di soglia Vf (max): 1.19V. Tensione diretta Vf (min): 1.19V. VRRM: 1200V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston
DB35-12
RoHS: sì. Alloggiamento: 35A. Alloggiamento: 28.5x28.5x10mm. Custodia (standard JEDEC): 5mA. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 35A. Tensione di soglia Uf [V]: 1.05V. Tensione di picco Urrm [V]: 1.2 kV. Corrente di picco Ifsm [A]: 450A. Tensione di soglia Vf (max): 1.19V. Tensione diretta Vf (min): 1.19V. VRRM: 1200V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston
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Corrente diretta (AV): 35A. VRRM: 1000V. IFSM: 400A. RM (max): 1mA. RM (min): 10uA. Dimensioni: 28x2...
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KBPC3506

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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 35A...
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KBPC2506

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Do: 300pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte...
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Do: 300pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore...
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B250C2300A

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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Corrente diretta (AV): 2.5A. IFSM: 50A. RM (min): 10uA. Numer...
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KBPC3508

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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzat...
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Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. ...
KBPC2510
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C(in): 5pF. Costo): 2pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Idss...
2N5484
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DB25-12

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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Funzione: ponte raddrizzatore trifase. Corrente diretta (AV):...
DB25-12
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KBPC50005

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Do: 300pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore...
KBPC50005
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