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Circuiti di memoria RAM

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R1LV0408DSP-5SI-S0

R1LV0408DSP-5SI-S0

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD)...
R1LV0408DSP-5SI-S0
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO32W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Famiglia di circuiti di memoria: R1LV. Dimensione memoria [byte]: 512 KByte. Configurazione memoria: 512K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +3.6V
R1LV0408DSP-5SI-S0
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO32W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Famiglia di circuiti di memoria: R1LV. Dimensione memoria [byte]: 512 KByte. Configurazione memoria: 512K x 8-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 55 ns. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus parallelo. Tensione minima di alimentazione (V): +2.7V. Tensione massima di alimentazione (V): +3.6V
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