Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BYT56G

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BYT56G. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di rettifica e commutazione molto veloce. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. VRRM: 400V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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BYT56M

BYT56M

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Fu...
BYT56M
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di rettifica e commutazione molto veloce. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di rettifica e commutazione molto veloce. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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