Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BYT52M

BYT52M
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25 - 49 0.78€ 0.95€
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BYT52M. Corrente diretta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di commutazione e rettifica rapida. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tr: 200 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Prodotto originale del produttore Vishay. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 15:25.

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1N4937

1N4937

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1N4937
Alloggiamento: DO-41. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. RoHS: sì. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per un elevata efficienza. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V
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HER308

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HER308
Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 125A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Do: 80pF. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Peso: 1.1g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V
HER308
Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 125A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Do: 80pF. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Peso: 1.1g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V
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RG4C

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Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 3V. Tensione diretta Vf (min): 3V
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Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 3V. Tensione diretta Vf (min): 3V
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BYT56M

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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecn...
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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Unità di condizionamento: 2500. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di rettifica e commutazione molto veloce. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V
BYT56M
Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Unità di condizionamento: 2500. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di rettifica e commutazione molto veloce. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V
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