Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BYT52M

BYT52M
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50 - 99 0.72€ 0.88€
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BYT52M. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di commutazione e rettifica rapida. Corrente diretta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. Tr: 200 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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1N4937

1N4937

RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Ca...
1N4937
RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per un elevata efficienza. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
1N4937
RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per un elevata efficienza. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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HER308

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Do: 80pF. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFS...
HER308
Do: 80pF. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 125A. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Peso: 1.1g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms
HER308
Do: 80pF. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 125A. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Peso: 1.1g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms
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Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 60A. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Tensione di soglia Vf (max): 3V. Tensione diretta Vf (min): 3V. VRRM: 1000V
RG4C
Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 60A. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Tensione di soglia Vf (max): 3V. Tensione diretta Vf (min): 3V. VRRM: 1000V
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Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Fu...
BYT56M
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di rettifica e commutazione molto veloce. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
BYT56M
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di rettifica e commutazione molto veloce. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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