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BYT28-500

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BYT28-500. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 5A. Tr: 50 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. VRRM: 500V. Nota: Vf<1.05V. Nota: S-L ->I<-. Nota: 50A/10ms. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. Assemblaggio...
FEP16JT
Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Nota: Dual Ultrafast Plastic Rectifier. Nota: Ifsm 125Aps/8.3ms
FEP16JT
Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Nota: Dual Ultrafast Plastic Rectifier. Nota: Ifsm 125Aps/8.3ms
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