Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BYP35A6

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5 - 9 1.68€ 2.05€
10 - 24 1.59€ 1.94€
25 - 49 1.50€ 1.83€
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BYP35A6. Diametro: 12.75mm. Do: 250pF. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Corrente diretta (AV): 35A. IFSM: 400A. RoHS: sì. Peso: 10g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+215°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Numero di terminali: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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BYP60A6

BYP60A6

Diametro: 12.75mm. Do: 430pF. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Diodo Trr (min.)...
BYP60A6
Diametro: 12.75mm. Do: 430pF. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 500A. RoHS: sì. Peso: 10g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Numero di terminali: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms
BYP60A6
Diametro: 12.75mm. Do: 430pF. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 500A. RoHS: sì. Peso: 10g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Numero di terminali: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms
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150EBU04

150EBU04

Do: 100pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. U...
150EBU04
Do: 100pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 150A. IFSM: 1500A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): POWERTAB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.07V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce
150EBU04
Do: 100pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 150A. IFSM: 1500A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): POWERTAB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.07V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce
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RoHS: sì. Frequenza massima di clock della CPU: 1.8 MHz/4 MHz/10 MHz. Numero di I/O: 23. Memoria di...
ATMEGA328P-PU
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