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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V - BC557A

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V - BC557A
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V - BC557A. Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo-Pak ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 110. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC547A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 12:25.

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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226, 45V, 100mA, TO-92, 50V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC557B. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC547B
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Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -50V. C(in): 10pF. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC547C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -50V. C(in): 10pF. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC547C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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