Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BC557A

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BC557A. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 110. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo-Pak ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.08V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC547A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.

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BC557B

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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Co...
BC557B
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC557B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC547B
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Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -50V. C(in): 10pF. Costo): 3.5pF....
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Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -50V. C(in): 10pF. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC547C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -50V. C(in): 10pF. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC547C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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