ABS15G
| Qnéuantità (Set da 5) | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 0.80€ | 0.98€ |
| 3 - 4 | 0.76€ | 0.93€ |
| 5 - 9 | 0.72€ | 0.88€ |
| 10 - 19 | 0.68€ | 0.83€ |
| Qnéuantità (Set da 5) | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 0.80€ | 0.98€ |
| 3 - 4 | 0.76€ | 0.93€ |
| 5 - 9 | 0.72€ | 0.88€ |
| 10 - 19 | 0.68€ | 0.83€ |
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ABS15G. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SMD-4. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms). Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.
Prodotti equivalenti :
ABS15M
Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzat...
Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SMD-4. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. VRRM: 1000V
Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SMD-4. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. VRRM: 1000V
ABS15J
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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SMD-4. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms)
Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SMD-4. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms)
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