Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK1529

2SK1529
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1 - 1 9.63€ 11.75€
2 - 2 9.14€ 11.15€
3 - 4 8.66€ 10.57€
5 - 9 8.18€ 9.98€
10 - 19 7.99€ 9.75€
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2SK1529. C(in): 700pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazione dell amplificatore ad alta potenza. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 1mA. Marcatura sulla cassa: K1529. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MOS a canale N in silicio a effetto di campo. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 180V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.8V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SJ200. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 13:25.

Documentazione tecnica

Prodotti equivalenti :

Esaurito
ECX10N20

ECX10N20

Piedinatura: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Quantità per scat...
ECX10N20
Piedinatura: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Varie: Amplificatore di potenza HI-FI. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 100 ns. Tecnologia: N–CHANNEL POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.15V. Spec info: transistor complementare (coppia) ECX10P20. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS
ECX10N20
Piedinatura: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Varie: Amplificatore di potenza HI-FI. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 100 ns. Tecnologia: N–CHANNEL POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.15V. Spec info: transistor complementare (coppia) ECX10P20. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS
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