2SK1461

2SK1461. C(in): 700pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 1mA. Marcatura sulla cassa: K1461. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 2.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: V-MOS, S-L. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3BP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 13:25.