Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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1N5396

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1N5396. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 500V. Do: 20pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Prodotto originale del produttore Diodes Inc.. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 18:25.

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Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 1000V. Do: 20pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
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