Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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1N5396

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1N5396. Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 500V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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1N5399

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Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (...
1N5399
Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS
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Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: elevata capacità di corrente, bassa caduta di tensione diretta. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS
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