Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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10A10

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10 - 24 0.36€ 0.44€
25 - 49 0.34€ 0.41€
50 - 99 0.32€ 0.39€
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10A10. Do: 120pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 400A. RM (max): 100uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 28.7k Ohms. Equivalenti: P1000M, 10A07-TP. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8.9x8.8mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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P1000M

P1000M

Do: 70pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. ...
P1000M
Do: 70pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 400A. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: P1000M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8x7.5mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS
P1000M
Do: 70pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 400A. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: P1000M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8x7.5mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS
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