Vari circuiti di memoria

Numero di terminali: 28. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-28

Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8

Funzione: I2C-Compatible (2seire) Serial EEPROM. Marcatura sulla cassa: 2DC. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8 ( 8S1 ). Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. VCC: 1.7...5.5V. Tensione di alimentazione: 6.25V. Nota: 1000000 Cycles (25°C, Page Mode, 3.3V). Nota: fSCL--1.7V 400KHz, 2.5-5.5V 1MHz. Nota: conserva i dati per 40 anni

Funzione: I2C-Compatible (2seire) Serial EEPROM. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8 ( 8S1 ). Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. VCC: 1.7...3.6V. Spec info: 64kx8bit I2C

Funzione: Memoria EEPROM 16Kbit. Nota: high speed clock. Nota: 4.5V...5.5V max 20MHz. Nota: 2.5V...5.5V max 10MHz. Nota: 1.8V...5.5V, 5MHz max. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. VCC: 1.8...5.5V. Spec info: 1.000.000 di cicli di scrittura, conservazione dei dati 100 anni

Funzione: OTP-EPROM. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V. Numero di terminali: 28. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-28, 28P6 (RM-15.24mm)

Condizionamento: tubo di plastica. Marcatura sulla cassa: 93C46P. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. VCC: 1.8...5.5V

Marcatura sulla cassa: 24C164LI. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Nota: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Nota: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Marcatura sulla cassa: 24C64F. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Nota: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Marcatura sulla cassa: 24C64F. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Nota: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Nota: SRAM. Serie: CMOS

Tensione di alimentazione: 5V. Funzione: Memoria RAM statica 2K x 8 CMOS. Spec info: 120ns access time

Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD)

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 11. Numero di terminali: 32. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-32. Temperatura di funzionamento: 0...+70°C. VCC: 4.5...5.5V. Tensione di alimentazione: 6V. Nota: CMOS a basso consumo. Nota: Con batteria di riserva

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tipo di memoria: SRAM +RTC. Famiglia di circuiti di memoria: DS13. Dimensione memoria [byte]: 64 Byte. Configurazione memoria: 64x8-bit. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Segnale di clock massimo (MHz): 100kHz. Tipo di interfaccia: interfaccia seriale, bus I2C. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP16. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 16. Famiglia di circuiti di memoria: DS24. Dimensione memoria [byte]: 4 Kbit. Configurazione memoria: 16x256-bit. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus seriale. Tipo di interfaccia: interfaccia seriale, 1 filo / 3 fili . Tensione minima di alimentazione (V): +2.8V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO16W. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 16. Famiglia di circuiti di memoria: DS24. Dimensione memoria [byte]: 4 Kbit. Configurazione memoria: 16x256-bit. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Tipo di memoria: Memoria SRAM, accesso al bus seriale. Tipo di interfaccia: interfaccia seriale, 1 filo / 3 fili . Tensione minima di alimentazione (V): +2.8V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8

Nota: SAMSUNG TXT. Nota: CMOS S-RAM. Alloggiamento: DIP

Funzione: Memoria. Numero di terminali: 8:1. Tipo di memoria: NOR Flash. Memoria di memorizzazione del programma: 1Mbit. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Serie: memoria FLASH . Alimentazione: 2.7...3.6V. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SOP8. Frequenza operativa: 80MHz. Temperatura di funzionamento: -40...85°C. Ingressi/uscite: Dual I/O, SPI

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: PLCC32. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Tipo di memoria: FIFO. Famiglia di circuiti di memoria: 72. Dimensione memoria [byte]: 512x9-bit. Configurazione memoria: 512x9-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Segnale di clock massimo (MHz): 35 ns. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: PLCC32. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 32. Tipo di memoria: Dualport RAM. Famiglia di circuiti di memoria: 72. Dimensione memoria [byte]: 32K x 9-bit. Configurazione memoria: 32K x 9-bit. Tipo di interfaccia: Parallela. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Segnale di clock massimo (MHz): 25 ns. Tensione minima di alimentazione (V): +4.5V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V

Marcatura sulla cassa: IS62C256AL. Numero di terminali: 28. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-28. Temperatura di funzionamento: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato di memoria. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO16. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 16. Tipo di memoria: Memoria analogica per la registrazione audio. Famiglia di circuiti di memoria: ISD. Dimensione memoria [byte]: 32 sec. Configurazione memoria: 1 x 32s. Tipo di interfaccia: I/O-pin. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 0°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +70°C. Segnale di clock massimo (MHz): 12kHz. Tensione minima di alimentazione (V): +2.4V. Tensione massima di alimentazione (V): +5.5V