US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V

US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V

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US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Condizionamento: rotolo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Equivalenti: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. Unità di condizionamento: 5000. Prodotto originale del produttore: Smc. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 20:52

Documentazione tecnica (PDF)
US1M
21 parametri
Corrente diretta (AV)
1A
IFSM
30A
Custodia (secondo scheda tecnica)
SMA (4.6x2.8 mm)
VRRM
1000V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Condizionamento
rotolo
Diodo Trr (min.)
75 ns
Equivalenti
US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP
Funzione
Ultrafast silicon rectifier diode
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
IFSM--30Ap
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di soglia Vf (max)
1.7V
Tensione diretta Vf (min)
1.7V
Unità di condizionamento
5000
Prodotto originale del produttore
Smc
Quantità minima
10