Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.99€ | 2.43€ |
5 - 9 | 1.89€ | 2.31€ |
10 - 24 | 1.79€ | 2.18€ |
25 - 49 | 1.69€ | 2.06€ |
50 - 99 | 1.65€ | 2.01€ |
100 - 249 | 1.25€ | 1.53€ |
250 - 2670 | 1.19€ | 1.45€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.99€ | 2.43€ |
5 - 9 | 1.89€ | 2.31€ |
10 - 24 | 1.79€ | 2.18€ |
25 - 49 | 1.69€ | 2.06€ |
50 - 99 | 1.65€ | 2.01€ |
100 - 249 | 1.25€ | 1.53€ |
250 - 2670 | 1.19€ | 1.45€ |
Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -15.5A - NTD20P06LT4G. Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -15.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -15.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 20P06LG. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 50 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1190pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.
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