SS12LR2G, SMA, DO-214AC, 1A
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SS12LR2G, SMA, DO-214AC, 1A. Alloggiamento: SMA. Custodia (standard JEDEC): DO-214AC. Corrente diretta [A]: 1A. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 400uA..8mA. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky al silicio. Ifsm [A]: 30A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 20V. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: -. [V]: 0.45V @ 1A. Prodotto originale del produttore: Taiwan Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:21
SS12LR2G
13 parametri
Alloggiamento
SMA
Custodia (standard JEDEC)
DO-214AC
Corrente diretta [A]
1A
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
400uA..8mA
Famiglia di componenti
Diodo raddrizzatore Schottky al silicio
Ifsm [A]
30A
Numero di terminali
2
RoHS
sì
Temperatura massima
+150°C.
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
20V
[V]
0.45V @ 1A
Prodotto originale del produttore
Taiwan Semiconductor