SI2333CDS-T1-E3
Qnéuantità
Prezzo unitario
5-9
0.97€
10-49
0.87€
50-199
0.78€
200-2999
0.73€
3000+
0.57€
| Quantità in magazzino: 2925 |
SI2333CDS-T1-E3. Caratteristiche: -. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 7.1A. Informazioni: -. MSL: -. Polarità: MOSFET P. Serie: TrenchFET. Tensione gate/source Vgs max: ±8V. Tipo di montaggio: Montaggio superficiale. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 12V. Prodotto originale del produttore: Vishay Siliconix. Quantità minima: 5. Quantità in stock aggiornata il 15/02/2026, 06:57
SI2333CDS-T1-E3
8 parametri
Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua)
7.1A
Polarità
MOSFET P
Serie
TrenchFET
Tensione gate/source Vgs max
±8V
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente)
12V
Prodotto originale del produttore
Vishay Siliconix
Quantità minima
5