Custodia (standard JEDEC)
DO-214AC
Corrente raddrizzata media per diodo
1A
Custodia (secondo scheda tecnica)
SMA DO214AC
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Configurazione del diodo
indipendente
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
5uA..50uA
Corrente di dispersione inversa
<50uA / 1000V
Corrente di impulso max.
30A
Famiglia di componenti
Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD)
Funzione
diodi raddrizzatori per uso generale
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
alloggiamento 4,6x2,7 mm
Spec info
IFSM--30Ap t=10mS
Struttura a semiconduttore
diodo
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-55...+155°C
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di recupero inverso (max)
1500ns
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
1 kV
Tensione di conduzione (tensione di soglia)
1.1V
Tensione di soglia Vf (max)
1.1V
Tensione diretta (massima)
<1.1V / 1A
Tensione diretta Vf (min)
1.1V
Tensione massima inversa
1kV
Tipo di diodo
diodo raddrizzatore
Prodotto originale del produttore
Taiwan Semiconductor