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RHRP860

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RHRP860. RoHS: sì. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo iperveloce. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 16A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Tensione di soglia Vf (max): 2.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 100App (60Hz). Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 20:25.

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MUR860

MUR860

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Cor...
MUR860
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: MUR860. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: diodo raddrizzatore per la commutazione dell alimentazione. Spec info: diodo raddrizzatore ultraveloce
MUR860
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: MUR860. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: diodo raddrizzatore per la commutazione dell alimentazione. Spec info: diodo raddrizzatore ultraveloce
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MUR8100

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Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75us. Materiale semiconduttore: silicio. Funz...
MUR8100
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Marcatura sulla cassa: U8100E. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce
MUR8100
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Marcatura sulla cassa: U8100E. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce
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