RH4F

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RH4F. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ammortizzatore . Corrente diretta (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Nota: Samsung--0402-000266. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 1500V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 05:25.

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