Optoaccoppiatori

CTR: >1000 %. Diodo IF: 50mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 150mA. Uscita: Uscita a transistor Darlington. Numero di terminali: 6. Passo: 2.54mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Passo: 7.62mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 20us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-6. Tr: 100us. Temperatura di funzionamento: -25...+100°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vrm: 5 kV

CTR: 130...260 %. Diodo IF: 50mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 50mA. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Passo: 7.62mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 3us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura di funzionamento: -30...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5 kV

CTR: 200...400 %. Diodo IF: 50mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 50mA. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Passo: 2.54mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Passo: 7.62mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 3us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura di funzionamento: -30...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5000V. Spec info: Vceo 80V

CTR: 80...160 %. Diodo IF: 50mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 30mA. Nota: Vceo 35V. Marcatura sulla cassa: PC817A. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 3us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura di funzionamento: -30...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5000V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Accoppiatore ottico. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP4. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Numero di circuiti: 1. Tipo di ingresso: LED infrarossi. Tipo di uscita: transistor NPN. Tensione di isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Tasso: 50 %. Corrente di ingresso nominale (mA): 5mA. Tempo di accensione tr [μsec.]: 18us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 18us. Tensione massima in uscita (V): 80V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -30°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C. Tipo di accoppiatore ottico: accoppiatore ottico per uso generale

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Accoppiatore ottico. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP8. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 8:1. Tipo di accoppiatore ottico: doppio accoppiatore ottico, ingresso CA. Numero di circuiti: 2. Tipo di ingresso: LED infrarosso antiparallelo. Tipo di uscita: transistor NPN. Tensione di isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Tasso: 20 %. Corrente di ingresso nominale (mA): 1mA. Tempo di accensione tr [μsec.]: 18us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 18us. Tensione massima in uscita (V): 80V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -30°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Accoppiatore ottico. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP8. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 8:1. Tipo di accoppiatore ottico: doppio accoppiatore ottico, ingresso CA. Numero di circuiti: 2. Tipo di ingresso: LED infrarosso antiparallelo. Tipo di uscita: transistor NPN. Tensione di isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Tasso: 20 %. Corrente di ingresso nominale (mA): 1mA. Tempo di accensione tr [μsec.]: 18us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 18us. Tensione massima in uscita (V): 80V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -30°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

CTR: 50...100 %. Nota: Vceo 35V. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP-8. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Accoppiatore ottico. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP8. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 8:1. Tipo di accoppiatore ottico: accoppiatore ottico standard, Raddoppiare. Numero di circuiti: 2. Tipo di ingresso: LED infrarossi. Tipo di uscita: transistor NPN. Tensione di isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Tasso: 50..600 %. Corrente di ingresso nominale (mA): 20mA. Tempo di accensione tr [μsec.]: 18us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 18us. Tensione massima in uscita (V): 35V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -30°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Accoppiatore ottico. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP8. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 8:1. Tipo di accoppiatore ottico: accoppiatore ottico standard, Raddoppiare. Numero di circuiti: 2. Tipo di ingresso: LED infrarossi. Tipo di uscita: transistor NPN. Tensione di isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Tasso: 50..400 %. Corrente di ingresso nominale (mA): 20mA. Tempo di accensione tr [μsec.]: 15us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 15us. Tensione massima in uscita (V): 35V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -25°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

CTR: 200...1000 %. Diodo IF: 80mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 150mW. Tensione di soglia del diodo: 1.17V. Corrente del collettore: 200mA. Uscita: Uscita a transistor Darlington. Numero di terminali: 4. Passo: 7.62mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 100us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 100us. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vrm: 5 kV

CTR: 200...1000 %. Diodo IF: 80mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 120W. Tensione di soglia del diodo: 1.17V. Corrente del collettore: 160mA. Uscita: Uscita a transistor Darlington. Numero di terminali: 16. Passo: 7.62mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 100us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-16. Tr: 100us. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vrm: 5 kV

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 100dB. CTR: 130...260 %. Diodo IF: 30mA. Diodo IF Courant (picco): 500mA. Potenza diodo: 150mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 30mA. Marcatura sulla cassa: PS2561A-1. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Passo: 7.62mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 7us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 5us. Temperatura di funzionamento: -40...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Vrm: 5 kV

CTR: 200...400 %. Diodo IF: 30mA. Diodo IF Courant (picco): 500mA. Potenza diodo: 150mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 30mA. Marcatura sulla cassa: PS2561A-1. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Passo: 7.62mm. Dimensioni: 6.5x4.6mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 7us. Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SMD-4. Tr: 5us. Temperatura di funzionamento: -40...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Vrm: 5 kV

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 100dB. CTR: 130...260 %. Diodo IF: 30mA. Diodo IF Courant (picco): 500mA. Potenza diodo: 150mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 30mA. Marcatura sulla cassa: PS2561AL1-1. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Passo: 2.54mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Passo: 10.16mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 7us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 5us. Temperatura di funzionamento: -40...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. VECO: 5V. Vrm: 5 kV

CTR: 80...600 %. Diodo IF: 50mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 60mW. Tensione di soglia del diodo: 1.1V. Corrente del collettore: 50mA. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Passo: 7mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 5us. Alloggiamento: SO-4. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-4. Tr: 3us. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vrm: 2500V. Spec info: Commutazione ad alta velocità (tr=3us TYP, tf=5us TYP)

CTR: 50...400 %. Diodo IF: 30mA. Diodo IF Courant (picco): 0.5A. Potenza diodo: 80mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 30mA. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 16. Passo: 7mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 7us. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-16. Tr: 5us. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vrm: 2500V. Spec info: Commutazione ad alta velocità (tr=5us TYP, tf=7us TYP)

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Accoppiatore ottico. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP8. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Numero di circuiti: 1. Tipo di ingresso: LED infrarossi. Tipo di uscita: FET, interruttore. Tensione di isolamento Uiso [kV]: 4 kV. Corrente di ingresso nominale (mA): 10mA. Tempo di accensione tr [μsec.]: 2ms. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 0.5ms. Tensione massima in uscita (V): 60VAC/DC. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Tipo di accoppiatore ottico: accoppiatore ottico, interruttore di segnale

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Accoppiatore ottico. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP6. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 6. Numero di circuiti: 1. Tipo di ingresso: LED infrarossi. Tensione di isolamento Uiso [kV]: 4 kV. Corrente di ingresso nominale (mA): 5mA. Tempo di accensione tr [μsec.]: 2ms. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 0.5ms. Tensione massima in uscita (V): 60VAC/DC. Tipo di uscita: MOSFET. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C. Tipo di accoppiatore ottico: accoppiatore ottico, interruttore di segnale

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Accoppiatore ottico. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO6. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Tipo di accoppiatore ottico: commutazione di potenza. Numero di circuiti: 1. Tipo di ingresso: LED infrarossi. Tipo di uscita: MOSFET. Tensione di isolamento Uiso [kV]: 4 kV. Corrente di ingresso nominale (mA): 5..25mA. Tempo di accensione tr [μsec.]: 2ms. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 0.5ms. Tensione massima in uscita (V): 60V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +85°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Accoppiatore ottico. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD-6. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Numero di circuiti: 1. Tipo di ingresso: LED infrarossi. Tipo di uscita: transistor NPN. Tensione di isolamento Uiso [kV]: 5.3 kV. Tasso: 160 %. Corrente di ingresso nominale (mA): 10mA. Tempo di accensione tr [μsec.]: 5.8us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 54us. Tensione massima in uscita (V): 70V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C. Tipo di accoppiatore ottico: accoppiatore ottico per uso generale

CTR: 100...200 %. Diodo IF: 60mA. Data di produzione: saldatura PCB. Uscita: uscita a transistor. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 14us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-6. Tr: 4.2us. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. VRRM: 5300V. Corrente di ingresso nominale (mA): 10mA. Tempo di accensione tr [μsec.]: 3us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 3us. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

CTR: 100...200 %. Diodo IF: 60mA. Diodo IF Courant (picco): 2.5A. Potenza diodo: 0.1W. Tensione di soglia del diodo: 1.25V. Data di produzione: 2014/42. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Uscita: uscita a transistor. Passo: 10.03mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 14us. Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SMD-4. Tr: 3us. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. VRRM: 5300V. Numero di terminali: 4. Spec info: frequenza di taglio 250kHz

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Accoppiatore ottico. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOP4. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 4. Numero di circuiti: 1. Tipo di ingresso: LED infrarossi. Tipo di uscita: transistor NPN. Tensione di isolamento Uiso [kV]: 5.3 kV. Tasso: 100 %. Corrente di ingresso nominale (mA): 10mA. Tempo di accensione tr [μsec.]: 3us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 2.3us. Tensione massima in uscita (V): 70V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C. Tipo di accoppiatore ottico: accoppiatore ottico per uso generale

CTR: 40...80 %. Diodo IF: 60mA. Diodo IF Courant (picco): 2.5A. Potenza diodo: 0.1W. Tensione di soglia del diodo: 1.25V. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Uscita: uscita a transistor. Passo: 2.54mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Passo: 7.92mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 11us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 3us. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. VRRM: 5300V. Numero di terminali: 4. Spec info: frequenza di taglio 250kHz