MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V

MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.56€
5-24
0.46€
25-49
0.40€
50-99
0.36€
100+
0.32€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 123

MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: -. Diodo Trr (min.): 75 ns. Equivalenti: MUR1100ERLG. Funzione: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.75V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. Unità di condizionamento: 1000. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 14:35

Documentazione tecnica (PDF)
MUR1100E
20 parametri
Corrente diretta (AV)
1A
IFSM
35A
Alloggiamento
DO-41
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm )
VRRM
1000V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo Trr (min.)
75 ns
Equivalenti
MUR1100ERLG
Funzione
Ultrafast “E” Series with High Reverse
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RoHS
sì
Spec info
IFSM
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-65...+175°C
Tensione di soglia Vf (max)
1.75V
Tensione diretta Vf (min)
1.5V
Unità di condizionamento
1000
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor

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