| +22 velocemente | |
| Quantità in magazzino: 8 |
MBR10200CT, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 200V
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.80€
5-49
1.49€
50-99
1.37€
100+
1.21€
| Equivalenza disponibile | |
| Quantità in magazzino: 7 |
MBR10200CT, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 200V. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Materiale semiconduttore: Sb. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 2. RM (max): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Struttura dielettrica: catodo comune. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.99V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. Prodotto originale del produttore: Taiwan Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:43
MBR10200CT
19 parametri
Corrente diretta (AV)
10A
IFSM
60.4k Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AC-3P
VRRM
200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Funzione
Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky
Materiale semiconduttore
Sb
Numero di terminali
3
Quantità per scatola
2
RM (max)
0.2mA
RM (min)
0.2mA
RoHS
sì
Spec info
Ifsm 120A (t=8.3ms)
Struttura dielettrica
catodo comune
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di soglia Vf (max)
0.99V
Tensione diretta Vf (min)
0.87V
Prodotto originale del produttore
Taiwan Semiconductor