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KBPC2501. Do: 300pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 25A. IFSM: 400A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 100V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. ...
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Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 25A. IFSM: 360A. RM (max): 5mA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: MB25100. Dimensioni dei collegamenti: Terminale faston 6,35x0,8mm. Numero di terminali: 4. Dimensioni: 28x28mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.26V. Tensione diretta Vf (min): 1.26V. VRRM: 1000V
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Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 25A. IFSM: 360A. RM (max): 5mA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: MB25100. Dimensioni dei collegamenti: Terminale faston 6,35x0,8mm. Numero di terminali: 4. Dimensioni: 28x28mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.26V. Tensione diretta Vf (min): 1.26V. VRRM: 1000V
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Do: 300pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte...
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Do: 300pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 25A. IFSM: 400A. Marcatura sulla cassa: MB256. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: MB-25. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Nota: 28x28x11.5mm
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Do: 300pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 25A. IFSM: 400A. Marcatura sulla cassa: MB256. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: MB-25. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Nota: 28x28x11.5mm
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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 25A...
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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 25A. IFSM: 300A. Numero di terminali: 4. Dimensioni: 28x28mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 400V
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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 25A. IFSM: 300A. Numero di terminali: 4. Dimensioni: 28x28mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 400V
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Corrente diretta (AV): 35A. IFSM: 400A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensioni: 28x28mm. RoHS: ...
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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzat...
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FAH-003

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