Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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LTV817C

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CTR: 200...400 %. Diodo IF: 50mA. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente ...
LTV817C
CTR: 200...400 %. Diodo IF: 50mA. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 50mA. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 3us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura di funzionamento: -30...+110°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. VECO: 6V. Vrm: 5000V
LTV817C
CTR: 200...400 %. Diodo IF: 50mA. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 50mA. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 3us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura di funzionamento: -30...+110°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. VECO: 6V. Vrm: 5000V
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LTV817A

LTV817A

CTR: 80...160 %. Diodo IF: 50mA. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente d...
LTV817A
CTR: 80...160 %. Diodo IF: 50mA. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 50mA. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 3us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura di funzionamento: -30...+110°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. VECO: 6V. VRRM: 5000V
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CTR: 80...160 %. Diodo IF: 50mA. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 50mA. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 3us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura di funzionamento: -30...+110°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. VECO: 6V. VRRM: 5000V
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LTV817B

LTV817B

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP4. Configurazione: montaggio a foro passa...
LTV817B
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP4. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Famiglia di componenti: Accoppiatore ottico. Numero di circuiti: 1. Tipo di ingresso: LED infrarossi. Tipo di uscita: transistor NPN. Tensione di isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Tasso: 130 %. Corrente di ingresso nominale (mA): 5mA. Tempo di accensione tr [μsec.]: 18us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 18us. Tensione massima in uscita (V): 35V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -30°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +110°C. Tipo di accoppiatore ottico: accoppiatore ottico per uso generale. Custodia (standard JEDEC): montaggio a foro passante su PCB
LTV817B
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP4. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Famiglia di componenti: Accoppiatore ottico. Numero di circuiti: 1. Tipo di ingresso: LED infrarossi. Tipo di uscita: transistor NPN. Tensione di isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Tasso: 130 %. Corrente di ingresso nominale (mA): 5mA. Tempo di accensione tr [μsec.]: 18us. Ritardo di spegnimento tf [μsec.]: 18us. Tensione massima in uscita (V): 35V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -30°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +110°C. Tipo di accoppiatore ottico: accoppiatore ottico per uso generale. Custodia (standard JEDEC): montaggio a foro passante su PCB
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