LTV817A

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LTV817A. CTR: 80...160 %. Diodo IF: 50mA. Potenza diodo: 70mW. Tensione di soglia del diodo: 1.2V. Corrente del collettore: 50mA. Uscita: uscita a transistor. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 3us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura di funzionamento: -30...+110°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. VECO: 6V. VRRM: 5000V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

Documentazione tecnica

Prodotti equivalenti :

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PC817X1J000F

CTR: 80...160 %. Diodo IF: 50mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 70mW. Tensione di sogl...

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