HER308, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 1000V

HER308, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 1000V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.27€
5-24
0.23€
25-49
0.20€
50-99
0.18€
100+
0.14€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 381

HER308, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 1000V. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 125A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo Trr (min.): 75 ns. Do: 80pF. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Numero di terminali: 2. Peso: 1.1g. Quantità per scatola: 1. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Prodotto originale del produttore: Taiwan Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 01:27

Documentazione tecnica (PDF)
HER308
22 parametri
Corrente diretta (AV)
3A
IFSM
125A
Alloggiamento
DO-201
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-201AD ( 9.0x5.3mm )
VRRM
1000V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo Trr (min.)
75 ns
Do
80pF
Funzione
Commutazione ad alta velocità
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
diodo raddrizzatore ad alta efficienza
Numero di terminali
2
Peso
1.1g
Quantità per scatola
1
RM (max)
200uA
RM (min)
10uA
RoHS
Spec info
Ifsm 125Ap T=8.3ms
Temperatura di funzionamento
-65...+150°C
Tensione di soglia Vf (max)
1V
Tensione diretta Vf (min)
1V
Prodotto originale del produttore
Taiwan Semiconductor

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