HER103, 1A, 30A, DO-41, DO-41, 200V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo Trr (min.): 50 ns. Do: 25pF. Equivalenti: HER103G. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Prodotto originale del produttore: Taiwan Semiconductor. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 14:35