DSEP60-12AR, 60A, 500A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 1200V

DSEP60-12AR, 60A, 500A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 1200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
15.28€
5-9
14.06€
10-14
13.15€
15-29
12.34€
30+
11.16€
Quantità in magazzino: 33

DSEP60-12AR, 60A, 500A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 1200V. Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 500A. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubo di plastica. Configurazione: custodia isolata, senza foratura. Diodo Trr (min.): 40 ns. Funzione: Diodo recupero graduale. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Quantità per scatola: 1. RM (max): 2.5mA. RM (min): 650uA. RoHS: sì. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.66V. Tensione diretta Vf (min): 1.74V. Unità di condizionamento: 10. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:03

Documentazione tecnica (PDF)
DSEP60-12AR
25 parametri
Corrente diretta (AV)
60A
IFSM
500A
Alloggiamento
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
ISOPLUS247
VRRM
1200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Condizionamento
tubo di plastica
Configurazione
custodia isolata, senza foratura
Diodo Trr (min.)
40 ns
Funzione
Diodo recupero graduale
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
190W
Quantità per scatola
1
RM (max)
2.5mA
RM (min)
650uA
RoHS
Spec info
540Ap t=10ms, TVJ=45°C
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Tecnologia
HiPerFREDTM Epitaxial Diode
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tensione di soglia Vf (max)
2.66V
Tensione diretta Vf (min)
1.74V
Unità di condizionamento
10
Prodotto originale del produttore
IXYS