Diodi soppressori di transitori

Tensione di rottura: 220V. Potenza: 1500W. Struttura dielettrica: unidirezionale. Tensione di mantenimento della direzione di chiusura [V]: 185V. Alloggiamento: DO-201

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Soppressore unidirezionale serie KE 1.5 (1500 W a 1 msec.). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Tensione di mantenimento della direzione di chiusura [V]: 77.8V. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Tipo di soppressore di transitori: unidirezionale. Ubr [V] @ Ibr [A]: 86.5V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 91V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 95.5V @ 1mA. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 77.8V. Dissipazione massima (impulso) Pp [W] @ t[msec.]: 1500W @ 1ms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Tensione di rottura: 23V. Potenza: 5000W. Struttura dielettrica: unidirezionale. Tensione di mantenimento della direzione di chiusura [V]: 20V. Alloggiamento: P-600

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 400A. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura: 30 v. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5000W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: P-600. Custodia (secondo scheda tecnica): P600 ( 8x7.5mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione diretta Vf (min): 3.5V

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 10000A. Capacità: 1.5pF. RoHS: sì. Nota: max. Nota: tensione di accensione 600V. Nota: min. Unità di condizionamento: 350

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Equivalenti: BZG03C12G, BZG03C12TR. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione Zener: 12V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Equivalenti: BZG03C150G, BZG03C150TR. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione Zener: 150V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Equivalenti: BZG03C200G, BZG03C200TR. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC 5.5x2.8mm. Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione Zener: 200V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Equivalenti: BZG03C15G, BZG03C15TR. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Tolleranza: 5%. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione Zener: 15V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. RM (max): 10uA. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura: 10V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione Zener: 10V

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura: 12V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Tolleranza: 5%. Tensione Zener: 12V

Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Tensione di rottura: 13V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD57 (4.57x3.81mm). Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione Zener: 13V

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Nota: Zener-Diodes with Surge Current Specification. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura: 130V. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Tensione Zener: 130V

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Numero di terminali: 2. Tensione di rottura: 15V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Tolleranza: 6 %. Tensione Zener: 15V

Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Tensione di rottura: 150V. Dimensioni: 4.57x3.81mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Tolleranza: 5%. Tensione Zener: 150V

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Nota: SOD57 Glass. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. VRRM: 180V

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Nota: SOD57 Glass. Nota: 6%, Vz.min 188 - Vz.max 212V. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. RoHS: sì. VRRM: 200V

Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Tensione di rottura: 22V. Dimensioni: 4.57x3.81mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass )

Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Dimensioni: 4.57x3.81mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD57 Glass. Tensione Zener: 24V. Varie: diodo transil

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Nota: SOD57 Glass. Nota: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. RoHS: sì. VRRM: 36V

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Nota: SOD57 Glass. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. VRRM: 39V

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Nota: SOD57 Glass. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. VRRM: 43V

Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Tensione di rottura: 47V. Dimensioni: 4.57x3.81mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD57 Glass. Tensione Zener: 47V

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Nota: SOD57 Glass. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. VRRM: 7.5V

Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo zener, protezione contro le sovratensioni. Dimensioni: 4.57x3.81mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD57 Glass. Tensione Zener: 8.2V