Ubr [V] @ Ibr [A]: 20V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 21V @ 1mA. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 17.1V. Dissipazione massima (impulso) Pp [W] @ t[msec.]: 1500W @ 1ms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 200A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5 kW. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 5V. Tensione diretta Vf (min): 3.5V. VRRM: 20V