BSS84LT1G
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BSS84LT1G. Alloggiamento: SOT23. Caratteristiche: -. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 130mA. Informazioni: -. MSL: 1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Polarità: MOSFET P. QG (CONDARE GATE TOTALE, MAX @ VGS): -. RDS su (max) @ id, vgs: 10 Ohms / 100mA / -5V. Serie: -. Tensione di azionamento: 5V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di montaggio: SMD. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): -50V. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità minima: 20. Quantità in stock aggiornata il 15/02/2026, 06:57
BSS84LT1G
12 parametri
Alloggiamento
SOT23
Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua)
130mA
MSL
1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.36W
Polarità
MOSFET P
RDS su (max) @ id, vgs
10 Ohms / 100mA / -5V
Tensione di azionamento
5V
Tensione gate/source Vgs max
-20V
Tipo di montaggio
SMD
Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente)
-50V
Prodotto originale del produttore
Onsemi
Quantità minima
20