BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente di impulso max.: 2A. Diodo Trr (min.): 4 ns. Do: 2pF. Funzione: Ultra High Speed Switching. Marcatura sulla cassa: A1s. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: serigrafia/codice SMD A1s. Numero di terminali: 3. Potenza: 350mW. Proprietà del semiconduttore: commutazione super veloce. Quantità per scatola: 2. RM (max): 50uA. RM (min): 0.15uA. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Struttura dielettrica: anodo comune. Temperatura: +150°C. Tempo di reazione: 4ns, 6ns. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1.25V. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione di soglia: 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.715V. Tensione massima inversa: 70V, 85V. Tipo di diodo: diodo di commutazione. Tipo di semiconduttore: diodo. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:01