BAV99, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 215mA, 500A, 0.12A, 0.215A, SOT-23 ( TO236 ), 70V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Corrente diretta (AV): 215mA. IFSM: 500A. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.12A. Corrente diretta [A]: 0.215A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 70V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 30nA..50uA. Corrente di dispersione inversa: 30nA / 25V. Corrente di impulso max.: 2A. Diodo Trr (min.): 6us. Famiglia di componenti: doppio diodo per piccolo segnale, Montaggio superficiale (SMD). Guida corrente: 0.3A. Ifsm [A]: 2A. Informazioni: -. Marcatura sulla cassa: A7w. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: doppio diodo al silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Potenza: 350mW. Proprietà del semiconduttore: commutazione super veloce. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Serie: BAV. Spec info: IFSM--t=1.0us 2A, t=1.0ms 1A. Struttura a semiconduttore: 2 diodi collegati in serie. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Temperatura massima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tempo di reazione: 4ns. Tempo di recupero inverso (max): 4ns. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 85V. Tensione di conduzione (tensione di soglia): 1.25V. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta (massima): <1.0V / 0.05A. Tensione diretta Vf (min): 750mV. Tensione massima inversa: 85V. Tipo di diodo: diodo di commutazione. Tipo di montaggio: SMD. Tipo di semiconduttore: diodo. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA. Prodotto originale del produttore: Nexperia. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:15