BAV199, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.16A, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO236 ), 85V

BAV199, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.16A, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO236 ), 85V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0609€
50-99
0.0530€
100-199
0.0477€
200+
0.0403€
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BAV199, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.16A, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO236 ), 85V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Corrente diretta [A]: 0.16A. Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5nA...80nA. Data di produzione: 2014/49. Diodo Trr (min.): 0.6us. Do: 2pF. Famiglia di componenti: doppio diodo per piccolo segnale, Montaggio superficiale (SMD). Funzione: doppio diodo a bassa dispersione. Ifsm [A]: 2A. Marcatura sulla cassa: JYs. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 2. RM (max): 80nA. RM (min): 5nA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Temperatura massima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 85V. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 3us. [V]: 1V @ 10mA. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:15

Documentazione tecnica (PDF)
BAV199
35 parametri
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (standard JEDEC)
TO-236AB
Corrente diretta [A]
0.16A
Corrente diretta (AV)
200mA
IFSM
500mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
85V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
5nA...80nA
Data di produzione
2014/49
Diodo Trr (min.)
0.6us
Do
2pF
Famiglia di componenti
doppio diodo per piccolo segnale, Montaggio superficiale (SMD)
Funzione
doppio diodo a bassa dispersione
Ifsm [A]
2A
Marcatura sulla cassa
JYs
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Quantità per scatola
2
RM (max)
80nA
RM (min)
5nA
RoHS
Spec info
IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s)
Struttura dielettrica
Anodo-catodo comune (punto medio)
Temperatura massima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
85V
Tensione di soglia Vf (max)
1.25V
Tensione diretta Vf (min)
0.9V
Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]
3us
[V]
1V @ 10mA
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies
Quantità minima
10