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BAT85S

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BAT85S. RoHS: sì. Do: 10pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 10000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. RM (max): 2uA. RM (min): 2uA. Marcatura sulla cassa: BAT85S. Numero di terminali: 2. Temperatura: +125°C. Passo: 1.6x3.9mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Tensione di soglia Vf (max): 800mV. Tensione diretta Vf (min): 240mV. VRRM: 30 v. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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Do: 8pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 10000. Quantità per scatola: 1. Strutt...
BAT86S
Do: 8pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 10000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. RM (max): 5uA. Marcatura sulla cassa: BTA86S. Numero di terminali: 2. Temperatura: +125°C. Dimensioni: 3.9x1.6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Tensione di soglia Vf (max): 900mV. Tensione diretta Vf (min): 300mV. VRRM: 50V. Spec info: IFMS 5Ap/10ms
BAT86S
Do: 8pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 10000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. RM (max): 5uA. Marcatura sulla cassa: BTA86S. Numero di terminali: 2. Temperatura: +125°C. Dimensioni: 3.9x1.6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Tensione di soglia Vf (max): 900mV. Tensione diretta Vf (min): 300mV. VRRM: 50V. Spec info: IFMS 5Ap/10ms
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Do: 4pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: sili...
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1878-8729

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